参考收费标准
无
开放机时安排
无
主要规格和技术参数
主要技术指标：
1、电子枪：LaB6；加速电压：200KV
2、点分辨率：0.24nm，晶格分辨率：0.14nm
3、球差系数（Cs）：优于1.2mm ；色差系数（Cc）：优于1.4mm；
4、样品倾斜角度：±35°或大于±35°；样品移动范围：2mm（X,Y）、0.4mm（Z±0.2mm）；控制精度：优于2nm；
主要配置：
1、X射线能谱仪（EDS）：美国EDAX公司GENESIS 2000 XM 30T，性能指标：PVRTEM/SUTW Si（Li）可伸缩型Sapphire™ 探测器，带超薄窗；分辨率≤136eV（MnKa），峰背比≤18,000:1，探测器有效面积30 mm²。
2、CCD成像系统：美国Gatan公司794型（1k×1k）+782型CCD相机。
主要功能及特色
1．主要对各种固体、粉体、纳米材料的内部微观组织、晶体缺陷、颗粒大小、形态的观察和微结构的表征；电子衍射物相分析及高分辨电子显微术研究，晶体微观结构及晶体位向进行研究。
2．配合X射线能谱仪可进行微区的元素成份的同位分析。
3．广泛应用于材料、物理、化学与化工、纳米技术、环境等学科领域。